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纳米银正压烧结炉—— SIN100
  • 纳米银正压烧结炉—— SIN100

纳米银正压烧结炉—— SIN100

纳米银正压烧结炉,主要以机械压力固化为主,在施压设备选择上,本设计使用精 密液压/电动伺服控制系统,实现高精准施压。 在整体炉腔及结构设计上采用真空密封结构设计,在固化时可在真空环境或其他惰 性气体(两种或两种以上)保护氛围内进行固化,提升产品固化质量。


纳米银正压烧结炉,主要以机械压力固化为主,在施压设备选择上,本设计使用精密液压/电动伺服控制系统,实现高精准施压。 

在整体炉腔及结构设计上采用真空密封结构设计,在固化时可在真空环境或其他惰性气体(两种或两种以上)保护氛围内进行固化,提升产品固化质量。


1.整体设备包含:施压系统、真空系统、加热系统、温度控制系统、冷却系统、还原模块等。

2.配备4/6英寸工装夹具,并可手动兼容小尺寸样品;支持晶圆厚度:0.3~3mm;

3.温度控制:通过热电偶实时反馈压头温度,6组PID程序控制,上、下压盘独立控温,可实现程序式升温、降温、恒温过程,升温过程平滑过渡,无温度过冲。

4.通过电动伺服控制系统,稳定施压,压力均匀(可用压敏纸测试,颜色均匀),可实现程序式加压、降压、恒压过程,键合压力最大100kN(其它可选);压盘材质  为炭化硅(SiC),工装材质为钛合金。

5.真空系统采用干泵+涡轮分子泵组成,抽速ATM~5e-2Pa<7min,腔室保压漏率: ≤1E-5Pa·m3 /s,真空度小于9*10-7 mBar,4路气体控制通路(充入气体可选)。

6.具备氢自由基活化功能,可在180℃以下去除Cu金属表面氧化层,在键合过程中保证250℃以下的Cu-Cu低温连接。

7.可进行Au-Au、Cu-Cu等表面连接材料;6英寸键合空洞率<3%;键合强度>2J/m2 (标准片)。

型号
SIN100
烧结面积
直径160mm,对6英寸(150mm)晶圆(向下兼容)进行共晶键合
炉膛高度
40MM(其它高度可选)
键合压力
100kN(最大压力10T),其它压力可选
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