RTP系列真空退火炉——RTP300

RTP 系列真空退火炉采用红外辐射加热技术，是可快速升、降温的真空热处理设备，可实现快速退火、快速热处理、快速氧化、快速热氮化、金属合金化工艺。

加热结构

RTP300 采用上下红外加热，独有加热管排布，升温更快、温度均匀性佳；上下多温区分区控温，控温精度更高；配备 MFC 质量流量计，精准调节工艺气体流量。

1. 适配产品尺寸

   
   

   最大兼容 12 英寸晶圆，同时兼容更小尺寸晶圆、碎片样品；程控极速升温，可将样品从室温快速升至最高 1200℃，消除材料内部缺陷、优化器件性能。
2. 应用领域

• 第三代半导体：氮化镓、碳化硅退火工艺
• 芯片制造：IC 晶圆、LED 晶圆、MEMS、化合物半导体、功率器件
• 典型工艺：欧姆接触快速合金、离子注入退火、氧化物生长、应力消除、材料致密化

  
  

  通过快速热处理优化晶体结构与光电性能，适配高指标、复杂精密半导体工艺。

二、产品特点

1. 标配分子泵，腔体极限真空≤10⁻⁴Pa
2. 高温持续能力：炉内 1200℃可稳定维持≥5min
3. 温度均匀性：8 英寸样品、1000℃工况下，局部温差＜设定温度 1%
4. 温控系统：支持 40 段可编程温控，升温过程温控偏移误差≤0.5℃
5. 工艺柔性：可根据不同材料自定义专属退火工艺曲线
6. 冷却性能：1200℃降至 400℃区间，降温速率≥20℃/s
7. 测温精度：动态温度测试分辨率≤0.1℃
8. 气路配置：双工艺气路，支持氮气等惰性气体，最大流量≥5000sccm，支持拓展升级
9. 分区加热：搭载热均匀调节模块，上下腔同步加热，灯管分区控制，分区数量≥20

三、独特优点 UNIQUE ADVANTAGES

1. 门控：程序自动锁门，无需手动锁紧
2. 加热管布局：选配底部加热时，顶、底加热管呈 90° 交错排布，大幅提升全域温度均匀性
3. 衬底兼容：同时适配透明衬底、不透明衬底两类工艺
4. 灯管定位支架：专用支架固定加热管于石英管中心，延长石英管使用寿命
5. 加热管增效设计：加热管背面高温反射镀层，热量利用率更高
6. 真空门结构：CNC 一体化加工自动锁紧真空门，工艺稳定性强，耐用性高
7. 冷却水路：真空腔体冷却管路整体 CNC 加工成型，彻底规避焊接漏水风险